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BZX85C4V3

更新时间： 2024-01-22 08:31:20

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威世 - VISHAY		二极管测试高压
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6页	50K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX85C4V3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	7.22
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	4.3 V
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	6.98%
工作测试电流：	50 mA	Base Number Matches：	1

BZX85C4V3 数据手册

BZX85C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Sharp edge in reverse characteristics

Low reverse current

Low noise

Very high stability

Available with tighter tolerances

Applications

94 9369

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

1.3

Unit

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

110

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =200mA

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85608

Rev. 3, 01-Apr-99

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