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BZX84C12CCW PDF预览

BZX84C12CCW

更新时间： 2024-02-14 19:41:57
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页数 文件大小 规格书
2页 380K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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BZX84C12CCW 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.13配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：25 ΩJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：12 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10最大电压容差：5%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZX84C12CCW 数据手册

 浏览型号BZX84C12CCW的Datasheet PDF文件第2页 
BZX84C…CCW Series  
SILICON PLANAR ZENER DIODES  
3
1
2
1. Anode 2. Anode 3. Cathode  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
PD  
Value  
Unit  
mW  
Power Dissipation  
200  
O
C
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj ,TS  
- 55 to + 150  
O
Electrical Characteristics at Ta = 25 C (VF = 0.9 V Max. at IF = 10 mA)  
Zener Voltage Range 1)  
Dynamic Resistance  
Reverse Current  
Marking  
Code  
Type  
VZ at lZT  
ZZT  
at lZT  
ZZK  
at IZK  
IR  
at VR  
Min.(V)  
2.2  
Max.(V)  
2.6  
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Max.(Ω)  
100  
100  
95  
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
Max.(Ω)  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
mA  
1
Max.(µA)  
50  
20  
20  
5
V
1
BZX84C2V4CCW  
BZX84C2V7CCW  
BZX84C3V0CCW  
BZX84C3V3CCW  
BZX84C3V6CCW  
BZX84C3V9CCW  
BZX84C4V3CCW  
BZX84C4V7CCW  
BZX84C5V1CCW  
BZX84C5V6CCW  
BZX84C6V2CCW  
BZX84C6V8CCW  
BZX84C7V5CCW  
BZX84C8V2CCW  
BZX84C9V1CCW  
BZX84C10CCW  
BZX84C11CCW  
BZX84C12CCW  
BZX84C13CCW  
BZX84C15CCW  
BZX84C16CCW  
BZX84C18CCW  
BZX84C20CCW  
BZX84C22CCW  
BZX84C24CCW  
BZX84C27CCW  
BZX84C30CCW  
BZX84C33CCW  
BZX84C36CCW  
BZX84C39CCW  
NA  
NB  
NC  
ND  
NE  
NF  
NH  
NJ  
2.5  
2.9  
1
1
2.8  
3.2  
1
1
3.1  
3.5  
95  
1
1
3.4  
3.8  
90  
1
5
1
3.7  
4.1  
90  
1
3
1
4
4.6  
90  
1
3
1
4.4  
5
80  
1
3
2
NK  
NM  
NN  
NP  
NR  
NX  
NY  
NZ  
PA  
PB  
PC  
PD  
PE  
PF  
PH  
PJ  
4.8  
5.4  
60  
1
2
2
5.2  
6
40  
1
1
2
5.8  
6.6  
10  
1
3
4
6.4  
7.2  
15  
1
2
4
7
7.9  
15  
1
1
5
7.7  
8.7  
15  
80  
1
0.7  
0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
5
8.5  
9.6  
15  
80  
1
6
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32  
20  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
300  
300  
325  
350  
1
7
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
20  
1
8
25  
1
8
30  
1
8
30  
1
10.5  
11.2  
12.6  
14  
15.4  
16.8  
18.9  
21  
23.1  
25.2  
27.3  
40  
1
45  
1
55  
1
55  
1
PK  
PM  
PN  
PP  
PR  
PX  
70  
1
80  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
80  
31  
35  
80  
34  
38  
90  
37  
41  
130  
1) Tested with pulses tp = 20 ms.  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  
12

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