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BZX84C12LT1

更新时间: 2024-01-07 21:06:28
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 半导体二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 170K
描述
SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA)

BZX84C12LT1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.85
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 ΩJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大功率耗散:0.225 W标称参考电压:12 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX84C12LT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
BZX84C2V4LT1  
SERIES  
225mW  
SOT-23  
225 mW SOT-23  
Zener Voltage Regulator Diodes  
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL  
SERIES IN THIS GROUP  
3
1
Cathode  
Anode  
Zener Voltage  
3
Regulator Diodes  
1
2
CASE 318–07, STYLE8  
SOT– 23 (TO–236AB)  
PLASTIC  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING  
PURPOSES: 260°C for 10 seconds  
THERMALCHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR-5 Board*  
TA = 25°C  
PD  
225  
mW  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
RQJA  
PD  
Alumina Substrate,** TA = 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
150  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temeprature  
**FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.  
**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
R QJA  
TJ , Tstg  
J2–1/5  

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