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BZX84B6V8TRL

更新时间: 2024-10-01 17:55:39
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国巨 - YAGEO 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 456K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 2%, 0.35W, Silicon, Unidirectional

BZX84B6V8TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.19
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V最大反向电流:2 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
电压温度Coeff-Max:4.5 mV/ °C最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX84B6V8TRL 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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暂无描述
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