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BZX84-B6V8,212

更新时间: 2024-01-23 21:22:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 235K
描述
DIODE 6.8 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

BZX84-B6V8,212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.2
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.8 V
最大反向电流:2 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL电压温度Coeff-Max:4.5 mV/ °C
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX84-B6V8,212 数据手册

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