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BZX55-C24T/R

更新时间: 2024-02-25 10:50:46
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
7页 41K
描述
DIODE 24 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

BZX55-C24T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.47
其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS TYPICAL外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:80 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified参考标准:CECC50005-005
标称参考电压:24 V最大反向电流:0.1 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:20.4 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX55-C24T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZX55 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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