BZX55C27

更新时间： 2024-02-01 23:05:08

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威世 - VISHAY		二极管测试
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描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX55C27 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.56	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	80 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	27 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	7.04%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C27 数据手册

BZX55C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

Low noise

Available with tighter tolerances

Applications

94 9367

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

500

Unit

P /V

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

300

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.5

Document Number 85605

Rev. 4, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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