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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> BZW04-26
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BZW04-26

更新时间： 2024-01-12 10:25:04
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德欧泰克 - DIOTEC 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 150K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

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BZW04-26 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：1.57Is Samacsys：N
最大击穿电压：31.5 V最小击穿电压：28.5 V
击穿电压标称值：30 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：41.5 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-204ACJESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：25.6 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BZW04-26 数据手册

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BZW 04-5V8 ... BZW 04-376B  
Unidirectional and bidirectional  
Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale  
Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Peak pulse power dissipation  
Impuls-Verlustleistung  
400 W  
Maximum stand-off voltage  
Maximale Sperrspannung  
5.8...376 V  
Plastic case – Kunststoffgehäuse  
Weight approx. – Gewicht ca.  
DO-15 (DO-204AC)  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
For bidirectional types (suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Kenn- und Grenzwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 ꢀs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 ꢀs)  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
IF = 25A  
VBR ꢀ 200 V  
VF  
VF  
< 3.0 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Augenblickswert der Durchlaßspannung  
VBR > 200 V  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+175ꢀC  
TS – 50…+175ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
1
)
)
)
Non-repetitive current pulse see curve IPPM = f (tr)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Strom-Impulses, siehe Kurve IPPM = f (tr)  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
2
3
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
1
07.01.2003  
1234

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BZW04-26 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
P4KE30A LITTELFUSE

功能相似

 Silicon Avalanche Diodes - 400W Axial Leaded Transient Voltage Supressors

与BZW04-26相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZW04-26(30V) ETC

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 		Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-26/100 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-26/4E VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-26/4F VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
BZW04-26/4G VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 25.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO
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