是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.66 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
最大动态阻抗: | 80 Ω | 最大正向电压 (VF): | 1.1 V |
JESD-30 代码: | O-LELF-R2 | JESD-609代码: | e3 |
膝阻抗最大值: | 300 Ω | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 200 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.5 W | 标称参考电压: | 30 V |
最大反向电流: | 0.05 µA | 反向测试电压: | 21 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 2 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BZV55-C30 | GOOD-ARK |
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Zener Diodes |
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BZV55-C30 | TYSEMI |
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Silicon Planar Power Zener Diodes |
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BZV55-C30 | NXP |
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Voltage regulator diodes |
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BZV55-C30 | VISHAY |
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ZENER DIODES |
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BZV55-C30 | NEXPERIA |
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Voltage regulator diodesProduction |
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BZV55-C30 | BL Galaxy Electrical |
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30V,500mW,Zener Diodes |
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BZV55-C30 | KEXIN |
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Zener Diodes |
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BZV55-C30,115 | ETC |
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DIODE ZENER 30V 500MW SOD80C |
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BZV55-C30,135 | ETC |
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DIODE ZENER 30V 500MW SOD80C |
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BZV55-C30/P,115 | NXP |
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BZV55-C30 |
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