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BZV55C18

更新时间： 2024-02-12 17:03:32

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虹扬 - HY		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
4页	182K
描述
ZENER DIODE

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BZV55C18 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	膝阻抗最大值：	170 Ω
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18 V	最大反向电流：	0.1 µA
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
电压温度Coeff-Max：	19.8 mV/ °C	工作测试电流：	5 mA

BZV55C18 数据手册

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

BZV55C SERIES

FIG.7 - FORWARD CURRENT VS.

FORWARD VOLTAGE

FIG.8 - Z-CURRENT VS. Z-VOLTAGE

100

Ptot=500mW

Tamb=25°C

TJ=25°C

0.1

0.01

0.001

0.4

0.8

0.2

0.6

1.0

FORWARD VOLTAGE (V)

Z-VOLTAGE(V)

FIG.9 - Z-CURRENT VS. Z-VOLTAGE

FIG.10 - DIFFERENTIAL Z-RESISTANCE

Vz VS. Z-VOLTAGE

1000

100

Ptot=500mW

Tamb=25°C

Iz=1mA

5mA

10m

TJ=25°C

Z-VOLTAGE(V)

FIG.11 - THERMAL RESPONSE

1000

100

10⁰

10¹

10^-1

10²

PULSE LENGTH (ms)

~ 405 ~

1 234

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