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BZV55-B2V7135

更新时间: 2024-09-29 16:57:51
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 210K
描述
DIODE 2.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

BZV55-B2V7135 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.29
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:2.7 V最大反向电流:20 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZV55-B2V7135 数据手册

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