Datasheet > BZT52C8V2-T1-LF

BZT52C8V2-T1-LF

更新时间： 2024-02-01 22:14:14

品牌	Logo	应用领域
WTE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	77K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.41W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT52C8V2-T1-LF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.41 W
标称参考电压：	8.2 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	Base Number Matches：	1

BZT52C8V2-T1-LF 数据手册

ꢀ ꢀ

0.6

T = 25°C

C3V9

C2V7

C5V6

C3V3

C6V8

C4V7

0.5

0.4

0.3

0.2

C6V2

C8V2

Test Current I_Z

5.0mA

0.1

100

125

150

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics

T_j= 25°C

C10

C12

C47

C39

Tj = 25°C

C43 C51

C15

C18

Test current I_Z

2mA

C22

Test Current I_Z

2mA

C27

Test current I_Z

5mA

C33

C36

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 3 Zener Breakdown Characteristics

Fig. 4 Zener Breakdown Characteristics

1000

T_j= 25 °C

V_R= 1V

V_R= 2V

100

V_R= 1V

V_R= 2V

100

V_Z, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 5 Junction Capacitance vs Nominal Zener Voltage

BZT52C2V4 – BZT52C51

3 of 5

1 234 5

下载PDF

与BZT52C8V2-T1-LF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT52-C8V2-T3	WTE	Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.41W	获取价格
BZT52C8V2T-7	DIODES	SURFACE MOUNT ZENER DIODE	获取价格
BZT52C8V2-TP	MCC	500 mW Zener Diode 2.4 to 43 Volts	获取价格
BZT52C8V2-TP-HF	MCC	暂无描述	获取价格
BZT52C8V2TQ	DIODES	SURFACE MOUNT ZENER DIODE	获取价格
BZT52C8V2TQ-7	DIODES	Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC P	获取价格