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BZT52C4V7T-13

更新时间： 2024-02-14 01:04:27

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美台 - DIODES		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	76K
描述
Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2

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BZT52C4V7T-13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.61	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	80 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
标称参考电压：	4.7 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	6.38%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZT52C4V7T-13 数据手册

BZT52C2V0T - BZT52C24T

0.45

0.30

= 25°C

C2V7

Note 5

0.15

100

125

150

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Zener Breakdown Characteristics

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (

°C)

Fig. 1 Power Derating Curve

1,000

= 25°C

C10T

C12T

T = 25°C

f = 1MHz

= 1V

= 2V

C15T

C18T

100

= 1V

C22T

Test current I

5mA

= 2V

V_Z, ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 3 Typical Zener Breakdown Characteristics

V_Z, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Total Capacitance vs. Nominal Zener Voltage

100

Package Outline Dimensions

SOD523

Dim

Min

0.25

0.70

1.50

1.10

0.55

0.10

Max

0.35

0.90

1.70

1.30

0.65

0.30

0.12

All Dimensions in mm

3 of 4

www.diodes.com

January 2012

BZT52C2V0T - BZT52C24T

Document number: DS30502 Rev. 12 - 2

1 234

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZT52C4V7-T1-LF	WTE	Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.41W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAG	获取价格
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BZT52C4V7TQ	DIODES	SURFACE MOUNT ZENER DIODE	获取价格