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BZT52C4V7W

更新时间: 2024-01-18 16:43:54
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页数 文件大小 规格书
3页 225K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZT52C4V7W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:6.38%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZT52C4V7W 数据手册

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BZT52C…W  
SILICON PLANAR ZENER DIODES  
PINNING  
Features  
DESCRIPTION  
Cathode  
PIN  
1
• Ideally suited for automated assembly processes  
Total power dissipation: max. 500 mW  
Anode  
2
2
1
Top View  
Simplified outline SOD-123 and symbol  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
Ptot  
Value  
500  
Unit  
mW  
Power Dissipation  
O
C
Junction Temperature  
Tj  
150  
O
C
Storage Temperature Range  
TS  
- 65 to + 150  
O
Characteristics at Ta = 25 C  
Parameter  
Symbol  
RthA  
Max.  
340  
Unit  
O
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
C/W  
Forward Voltage  
at IF = 10 mA  
VF  
0.9  
V
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
®
Dated : 09/11/2007  

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