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BZT52C3V3-G3-18

更新时间： 2022-09-29 12:16:59

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威世 - VISHAY		/
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8页	139K
描述
DIODE ZENER 3.3V 410MW SOD123

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BZT52C3V3-G3-18 数据手册

BZT52-G-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

10³

100

T_J= 25 °C

10²

I_F

r_zj

T_J= 100 °C

10^-1

10^-2

T_J= 25 °C

10^-3

10^-4

10^-5

6.8/8.2

6.2

0.2

0.4

0.6

0.8

0.1

I_Z

5 100 mA

18119

V_F

18114

Fig. 1 - Forward Characteristics

Fig. 4 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

500

10³

T_j= 25 °C

400

300

200

100

R_zj

47 + 51

P_tot

10²

0.1

100

200 °C

18120

18888

I_Z

T_amb

Fig. 2 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Fig. 5 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

1000

10³

T_J= 25 °C

ΔV_Z

R_zth= R_thAx V_Zx

T_j

R_zth

r_zj

10²

100

2.7

3.6

4.7

5.1

negative

positive

5.6

100 V

0.1

18117

5 100 mA

18121

V_Zat I_Z= 5 mA

I_Z

Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

Fig. 6 - Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage

Rev. 1.3, 22-Feb-18

Document Number: 83340

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