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BZT52C10S-7-F

更新时间： 2024-02-18 05:00:23
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
4页 229K
描述
SURFACE MOUNT ZENER DIODE

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BZT52C10S-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：19 weeks风险等级：0.72
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：20 ΩJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：10 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最大电压容差：6%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

BZT52C10S-7-F 数据手册

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BL Galaxy Electrical  
Production specification  
Surface mount zener diode  
BZT52C2V0S-BZT52C39S  
Temperature  
Maximum  
Reverse  
Current  
Maximum Zener  
Impedance  
Coefficient of  
Zener Voltage Range  
Marking  
Type Number  
Code  
zener voltage @  
I
ZTC mV/℃  
VZ@IZT  
IZT ZZT@IZT ZZK@IZK IZK  
IR  
@VR  
V
Nom(V) Min(V) Max(V) mA  
Ω
mA  
μA  
Min  
Max  
BZT52C2V0S  
BZT52C2V4S  
BZT52C2V7S  
BZT52C3V0S  
BZT52C3V3S  
BZT52C3V6S  
BZT52C3V9S  
BZT52C4V3S  
BZT52C4V7S  
BZT52C5V1S  
BZT52C5V6S  
BZT52C6V2S  
BZT52C6V8S  
BZT52C7V5S  
BZT52C8V2S  
BZT52C9V1S  
BZT52C10S  
BZT52C11S  
BZT52C12S  
BZT52C13S  
BZT52C15S  
BZT52C16S  
BZT52C18S  
BZT52C20S  
BZT52C22S  
BZT52C24S  
BZT52C27S  
BZT52C30S  
BZT52C33S  
BZT52C36S  
BZT52C39S  
WY  
WX  
W1  
W2  
W3  
W4  
W5  
W6  
W7  
W8  
W9  
WA  
WB  
WC  
WD  
WE  
WF  
WG  
WH  
WI  
2.0  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
1.91  
2.2  
2.09  
2.60  
2.9  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
100  
100  
100  
95  
95  
90  
90  
90  
80  
60  
40  
10  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
25  
30  
30  
40  
45  
55  
55  
70  
80  
80  
80  
90  
130  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
1.0 150  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
4.0  
4.0  
5.0  
5.0  
6.0  
7.0  
8.0  
8.0  
8.0  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-2.7  
-2.0  
0.4  
0
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
50  
20  
10  
5
0
2.5  
0
2.8  
3.2  
0
3.1  
3.5  
0
3.4  
3.8  
5
0
3.7  
4.1  
3
0
4.0  
4.6  
3
0
4.4  
5.0  
3
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7.0  
8.0  
9.0  
10.0  
11.0  
13.0  
14.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
25.3  
29.4  
33.4  
37.4  
41.2  
4.8  
5.4  
2
5.2  
6.0  
1
5.8  
6.6  
3
6.4  
7.2  
2
1.2  
7.0  
7.9  
80  
1
2.5  
7.7  
8.7  
80  
1.0 0.7  
1.0 0.5  
1.0 0.2  
1.0 0.1  
1.0 0.1  
1.0 0.1  
3.2  
8.5  
9.6  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
300  
300  
325  
350  
350  
3.8  
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32.0  
35.0  
38.0  
41.0  
4.5  
11  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28.0  
31.0  
34.0  
37.0  
5.4  
12  
6.0  
13  
7.0  
WJ  
WK  
WL  
WM  
WN  
WO  
WP  
WQ  
WR  
WS  
WT  
15  
1.0 0.1 10.5  
9.2  
16  
1.0 0.1 11.2 10.4  
1.0 0.1 12.6 12.4  
1.0 0.1 14.0 14.4  
1.0 0.1 15.4 16.4  
1.0 0.1 16.8 18.4  
0.5 0.1 18.9 21.4  
0.5 0.1 21.0 24.4  
0.5 0.1 23.1 27.4  
0.5 0.1 25.2 30.4  
0.5 0.1 27.3 33.4  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
Notes: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.  
2. Tested with pulses, period=5ms, pulse width = 300μs.  
3. f = 1KHz.  
Document number: BL/SSZDB019  
Rev.A  
www.galaxycn.com  
2
1234

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