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BZT52B16S PDF预览

BZT52B16S

更新时间： 2024-02-23 12:22:31
品牌 Logo 应用领域
海德 - HDSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1922K
描述
SOD323 Plastic-Encapsulate Diodes

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BZT52B16S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.48配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：16 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
最大电压容差：1.94%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

BZT52B16S 数据手册

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Electrical Characteristics (T =25 unless otherwise noted)  
℃
A
Typical  
Temperature  
Coefficent  
@IZTC  
Maximum  
Reverse  
Current  
Test  
Current  
IZTC  
Maximum Zener Impedance  
(Note 3)  
Zener Voltage Range (Note 2)  
Type  
Type  
Number  
Code  
VZ@IZT  
IZT  
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
ZZT@IZT  
ZZK@IZK  
IZK  
IR  
VR  
V
mV/°C  
mA  
Nom(V)  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
Min(V)  
2.35  
Max(V)  
2.45  
Ω
μA  
50  
20  
10  
5
Min  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-2.7  
-2.0  
0.4  
Max  
0
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
2
BZT52B2V4S  
BZT52B2V7S  
BZT52B3V0S  
BZT52B3V3S  
BZT52B3V6S  
BZT52B3V9S  
BZT52B4V3S  
BZT52B4V7S  
BZT52B5V1S  
BZT52B5V6S  
BZT52B6V2S  
BZT52B6V8S  
BZT52B7V5S  
BZT52B8V2S  
BZT52B9V1S  
BZT52B10S  
BZT52B11S  
BZT52B12S  
BZT52B13S  
BZT52B15S  
BZT52B16S  
BZT52B18S  
BZT52B20S  
BZT52B22S  
BZT52B24S  
BZT52B27S  
BZT52B30S  
BZT52B33S  
BZT52B36S  
BZT52B39S  
2WX  
2W1  
2W2  
2W3  
2W4  
2W5  
2W6  
2W7  
2W8  
2W9  
2WA  
2WB  
2WC  
2WD  
2WE  
2WF  
2WG  
2WH  
2WI  
100  
100  
95  
95  
90  
90  
90  
80  
60  
40  
10  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
25  
30  
30  
40  
45  
55  
55  
70  
80  
80  
80  
90  
130  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
2.65  
2.75  
1.0  
0
2.94  
3.06  
1.0  
0
3.23  
3.37  
1.0  
0
3.53  
3.67  
5
1.0  
0
3.82  
3.98  
3
1.0  
0
4.21  
4.39  
3
1.0  
0
4.61  
4.79  
3
2.0  
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7.0  
8.0  
9.0  
10.0  
11.0  
13.0  
14.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
25.3  
29.4  
33.4  
37.4  
41.2  
5.00  
5.20  
2
2.0  
5.49  
5.71  
1
2.0  
6.08  
6.32  
3
4.0  
6.66  
6.94  
2
4.0  
1.2  
7.35  
7.65  
80  
1
5.0  
2.5  
8.04  
8.36  
80  
0.7  
0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
5.0  
3.2  
8.92  
9.28  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
300  
300  
325  
350  
350  
6.0  
3.8  
9.80  
10.20  
11.22  
12.24  
13.26  
15.30  
16.32  
18.36  
20.40  
22.44  
24.48  
27.54  
30.60  
33.66  
36.72  
39.78  
7.0  
4.5  
11  
10.78  
11.76  
12.74  
14.70  
15.68  
17.64  
19.60  
21.56  
23.52  
26.46  
29.40  
32.34  
35.28  
38.22  
8.0  
5.4  
12  
8.0  
6.0  
13  
8.0  
7.0  
2WJ  
2WK  
2WL  
2WM  
2WN  
2WO  
2WP  
2WQ  
2WR  
2WS  
2WT  
15  
10.5  
11.2  
12.6  
14.0  
15.4  
16.8  
18.9  
21.0  
23.1  
25.2  
27.3  
9.2  
16  
10.4  
12.4  
14.4  
16.4  
18.4  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
Notes: 1. Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm2 .  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. f = 1kHz.  
2
H
igh Diode Semiconductor  
12345

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