Datasheet > BZT03D6V8-TAP

BZT03D6V8-TAP

更新时间： 2024-01-22 23:09:04

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管电视
页数	文件大小	规格书
4页	131K
描述
TVS DIODE 5.3V 10.5V SOD57

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT03D6V8-TAP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	2 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	6.8 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	10%
Base Number Matches：	1

BZT03D6V8-TAP 数据手册

BZT03-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Zener Diodes with Surge Current Specification

FEATURES

• Glass passivated junction

• Hermetically sealed package

• Clamping time in picoseconds

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

949539

• Medium power voltage regulators and medium power

transient suppression circuits

ADDITIONAL RESOURCES



3D Models

PRIMARY CHARACTERISTICS

PARAMETER

VALUE

6.2 to 300

2 to 100

UNIT

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Circuit configuration

Pulse current

Single

ORDERING INFORMATION (Example)

DEVICE NAME

BZT03C6V2

ORDERING CODE

TAPED UNITS

MINIMUM ORDER QUANTITY

BZT03C6V2-TR

5000 per 10" tape and reel

5000 per ammopack

25 000

BZT03C6V2-TAP

PACKAGE

MOLDING COMPOUND

FLAMMABILITY RATING

PACKAGE NAME

WEIGHT

MOISTURE SENSITIVITY LEVEL

SOLDERING CONDITIONS

MSL level 1

(according J-STD-020)

SOD-57

369 mg

UL 94 V-0

Peak temperature max. 260 °C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

I = 10 mm, T_L= 25 °C

T_amb= 25 °C

P_tot

P_ZRM

P_ZSM

R_thJA

T_j

3250

1300

Power dissipation

Repetitive peak reverse power dissipation

Non repetitive peak surge power dissipation

t_p= 100 μs, T_j= 25 °C

I = 10 mm, T_L= constant

600

Junction to ambient air

K/W

On PC board with spacing 25 mm

100

Junction temperature

175

°C

T_S

Storage temperature range

Forward voltage (max.)

-65 to +175

1.2

I_F= 0.5 A

V_F

Rev. 1.8, 11-Sep-2019

Document Number: 85599

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BZT03D6V8-TAP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT03D6V8-TR	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1.3W,
BZT03D75	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D75	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D75	BL Galaxy Electrical	获取价格	75V,1300mW,Zener Diodes
BZT03D75-TAP	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 59V 107V SOD57
BZT03D75-TR	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 59V 107V SOD57
BZT03D7V5	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D7V5	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D7V5	BL Galaxy Electrical	获取价格	7.5V,1300mW,Zener Diodes
BZT03D7V5-TAP	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 7.5V V(Z), 10%, 1.3W,

与BZT03D6V8-TAP相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

17
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

14
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZT03D6V8-TAP

BZT03D6V8-TAP 技术参数

BZT03D6V8-TAP 数据手册

与BZT03D6V8-TAP相关器件

与BZT03D6V8-TAP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BZT03D6V8-TAP

BZT03D6V8-TAP 技术参数

BZT03D6V8-TAP 数据手册

与BZT03D6V8-TAP相关器件

与BZT03D6V8-TAP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？