Datasheet > BZT03D6V8

BZT03D6V8

更新时间： 2024-02-14 05:52:48

品牌	Logo	应用领域
鲁光 - LGE		/
页数	文件大小	规格书
4页	233K
描述
POWER DISSIPATION: 3.25 W

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZT03D6V8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	2 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	1.3 W	标称参考电压：	6.8 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	10%
Base Number Matches：	1

BZT03D6V8 数据手册

BZT03 Series

Zener Diodes

V_Z: 6.2 -- 270 V

POWER DISSIPATION: 3.25 W

DO -- 15

Features

◇

Hermetically sealed package

Clamping time in picoseconds

Mechanical Data

◇

Case:JEDEC DO-15

Terminals: Axial leads solderable per MIL-

STD-202,Method 208

Dimensions in millimeters

◇

Polarity: Color band denotes cathods end

Weight: 0.014 ounces,0.39 grams

Mounting position: any

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

(T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Unit

Parameter

Value

3.25

1.3

Total power dissipation at Ttp=25℃

Power dissipation at T_A=45℃

Ptot

P_tot

V_F

Forward voltage @I_F=0.5A

1.2

Maximum thermal resistance

junction to ambient (Note 1)

R_θJA

100

℃/W

Peak reverse power dissipation

tp=100µs square wave

P_ZSM

600

T_J

150

Junction temperature

℃

T_STG

-55 to +150

Storage temperature range

Note:1.On PC board with spacing 25mm

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BZT03D6V8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZT03D6V8-TAP	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 5.3V 10.5V SOD57
BZT03D6V8-TR	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1.3W,
BZT03D75	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D75	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D75	BL Galaxy Electrical	获取价格	75V,1300mW,Zener Diodes
BZT03D75-TAP	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 59V 107V SOD57
BZT03D75-TR	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 59V 107V SOD57
BZT03D7V5	LGE	获取价格	POWER DISSIPATION: 3.25 W
BZT03D7V5	VISHAY	获取价格	Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
BZT03D7V5	BL Galaxy Electrical	获取价格	7.5V,1300mW,Zener Diodes