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BZT03-C68T/R

更新时间： 2024-01-31 13:00:41
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 电视
页数 文件大小 规格书
9页 52K
描述
DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Transient Suppressor

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BZT03-C68T/R 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Voltage regulator diodes  
BZT03 series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Total series  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
forward voltage  
CONDITIONS  
IF = 0.5 A; see Fig.5  
MAX.  
UNIT  
VF  
1.2  
V
Per type when used as voltage regulator diodes  
Tj = 25 °C unless otherwise specified.  
DIFFERENTIAL TEMPERATURE  
TEST  
REVERSE CURRENT  
WORKING VOLTAGE  
VZ (V) at IZ  
TYPE  
No.  
RESISTANCE  
COEFFICIENT CURRENT at REVERSE VOLTAGE  
SUFFIX  
rdif (Ω) at IZ  
SZ (%/K) at IZ  
IR (µA)  
(1)  
IZ (mA)  
VR (V)  
MIN.  
NOM.  
MAX.  
TYP.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
MAX.  
C7V5  
C8V2  
C9V1  
C10  
C11  
C12  
C13  
C15  
C16  
C18  
C20  
C22  
C24  
C27  
C30  
C33  
C36  
C39  
C43  
C47  
C51  
C56  
C62  
C68  
C75  
C82  
C91  
7.0  
7.7  
8.5  
9.4  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
7.9  
8.7  
9.6  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
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21.2  
23.3  
25.6  
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32  
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0.03  
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