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BZD27C62P-GS08

更新时间： 2024-01-19 14:09:26

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C62P-GS08 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-219AB	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.31	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-219AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	62 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	6.45%	工作测试电流：	10 mA

BZD27C62P-GS08 数据手册

BZD27C3V6P to BZD27C200P

Vishay Semiconductors

Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)

10.00

1.00

0.10

160

140

120

100

Typ. V

Max. V

0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

25 50 75 100 125 150 175 200

– Zener Voltage ( V )

17411

17414

– Forward Voltage ( V )

Znom

Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage

Figure 4. Maximum Pulse Power Dissipation vs. Zener Voltage

10000

RSM

(%)

C5V1P

C6V8P

C12P

C18P

100

10 µs

1000

100

1000 µ s

C27P

1.0

C51P

C200P

0.5

0.0

1.5

2.0

2.5

3.0

– Reverse Voltage (V)

17415

17412

Figure 2. Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

Figure 5. Non-Repetitive Peak Reverse Current Pulse Definition

3.0

tie point temperature

2.5

2.0

1.5

ambient temperature

1.0

0.5

0.0

100 125 150

17413

amb

– Ambient Temperature ( qC )

Figure 3. Power Dissipation vs. Ambient Temperature

www.vishay.com

Document Number 85810

Rev. 1.8, 13-Apr-05

1 2 345 6 7...9

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与BZD27C62P-GS08相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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