是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.71 |
其他特性: | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 应用: | FAST SOFT RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.5 V | JESD-30 代码: | O-LALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 70 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 1.25 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 150 µA | 最大反向恢复时间: | 0.25 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BYW95A/20112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/20113 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/20133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/21112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/21113 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/21133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/22112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/22113 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/22133 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode | |
BYW95A/30112 | NXP |
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DIODE 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |