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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | METAL PACKAGE-1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JEDEC-95代码： | DO-4 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 240 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 12.5 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.03 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BYW30-200U | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 14A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| BYW30-50 | NXP |
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DIODE 12.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4, METAL PACKAGE-1, Rectifier Diode |
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| BYW30-50U | NXP |
获取价格 |
DIODE 12.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4, METAL PACKAGE-1, Rectifier Diode |
|
| BYW31-100 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| BYW31-100 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 28A, 100V V(RRM), Silicon |
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| BYW31-100 | NXP |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,100V V(RRM),DO-4 |
|
| BYW31-100HR2 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), Silicon, DO-4, |
|
| BYW31-100U | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 25A, 100V V(RRM), |
|
| BYW31-100U | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 28A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| BYW31-150 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
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