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BYW178-TAP

更新时间： 2024-02-03 13:01:13
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网非常快速的软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon,

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BYW178-TAP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.66应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.9 VJESD-30 代码：E-XALF-W2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向电流：1 µA最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn96.5Ag3.5)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BYW178-TAP 数据手册

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BYW178  
Vishay Telefunken  
Very Fast Silicon Mesa Rectifier  
Features  
Glass passivated junction  
Hermetically sealed package  
Low reverse current  
Soft recovery characteristics  
Very fast reverse recovery time  
Low reverse recovery peak current  
94 9588  
Applications  
Ultra fast rectifier for switching mode power supplies  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
V =V  
Value  
800  
Unit  
V
Reverse voltage  
R
RRM  
=Repetitive peak reverse voltage  
Peak forward surge current  
t =10ms,  
p
I
80  
A
FSM  
half sinewave  
Repetitive peak forward current  
Average forward current  
Junction and storage temperature range  
I
I
15  
3
A
A
C
FRM  
FAV  
T =T  
j
–55...+175  
stg  
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction lead  
Junction ambient  
Test Conditions  
l=10mm, T =constant  
on PC board with spacing 37.5mm  
Symbol  
Value  
25  
70  
Unit  
K/W  
K/W  
R
thJL  
thJA  
L
R
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type Symbol Min  
Typ Max Unit  
Forward voltage  
Reverse current  
I =3A  
V
1.9  
1
20  
V
A
A
F
F
V =V  
I
I
R
RRM  
R
V =V  
, T =100 C  
R
RRM  
j
R
Reverse recovery current  
Reverse recovery time  
I
2.2  
50  
A
I =1A, di /dt –50A/ s,  
RM  
F
F
V =200V  
Batt  
t
rr  
ns  
ns  
I =1A, di /dt –50A/ s,  
F
F
V
Batt  
=200V,i =0.25xI  
R RM  
Reverse recovery time (JEDEC) I =0.5A, I =1A, i =0.25A  
t
rr  
60  
F
R
R
Document Number 86047  
Rev. 2, 24-Jun-98  
www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600  
1 (4)  
1234

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BYW178-TAP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BYW178-TR VISHAY

类似代替

 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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