BYV29XSERIES

更新时间： 2024-02-28 18:30:20

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
7页	55K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYV29XSERIES 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	9 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	500 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYV29XSERIES 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

ultrafast

BYV29F, BYV29X series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

V_R= 300 V/ 400 V/ 500 V

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Isolated mounting tab

V_F≤ 1.03 V

I_F(AV)= 9 A

t_rr≤ 60 ns

GENERAL DESCRIPTION

Ultra-fast epitaxial rectifier diodes intended for use in switched mode power supply output rectification, electronic

lighting ballasts and high frequency switching circuits in general.

The BYV29F series is supplied in the SOD100 package.

The BYV29X series is supplied in the SOD113 package.

PINNING

SOD100

SOD113

DESCRIPTION

cathode (k)

anode (a)

isolated

case

tab

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN.

BYV29F/BYV29X

_hs≤ 138˚C¹

square wave; δ = 0.5;

MAX.

UNIT

-300

300

-400

400

-500

500

V_RRM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Continuous reverse voltage

Average forward current²

I_F(AV)

I_FSM

T_hs≤ 90 ˚C

Non-repetitive peak forward

current

t = 10 ms

100

110

t = 8.3 ms

sinusoidal; with reapplied

V_RRM(max)

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

1 T_hsde-rating for thermal stability.

2 Neglecting switching and reverse current losses

February 1999

Rev 1.400

12 3 4 5 6 7

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