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BYT79

更新时间： 2024-01-24 12:07:48

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恩智浦 - NXP		整流二极管
页数	文件大小	规格书
5页	47K
描述
Rectifier diodes ultrafast

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BYT79 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AC
包装说明：	R-PSIP-T2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.66
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-T2	元件数量：	2
端子数量：	2	最大输出电流：	14 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	500 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

BYT79 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

ultrafast

BYT79 series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

V_R= 300 V/ 400 V/ 500 V

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_F≤ 1.05 V

I_F(AV)= 14 A

t_rr≤ 60 ns

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOD59 (TO220AC)

Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes

intended for use as output rectifiers

in high frequency switched mode

power supplies.

DESCRIPTION

cathode

anode

cathode

tab

The BYT79 series is supplied in the

conventional

leaded

SOD59

tab

(TO220AC) package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYT79

-300

300

-400

400

-500

500

V_RRM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Continuous reverse voltage

Average forward current¹

_mb≤ 147˚C

I_F(AV)

I_FSM

square wave; δ = 0.5;

_mb≤ 117 ˚C

Non-repetitive peak forward

current.

t = 10 ms

130

143

t = 8.3 ms

sinusoidal; with reapplied

V_RRM(max)

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance junction to

mounting base

Thermal resistance junction to in free air.

ambient

2.0

K/W

R_{th j-a}

K/W

1 Neglecting switching and reverse current losses

September 1998

Rev 1.300

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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