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BYT79-300

更新时间： 2024-02-08 21:39:23

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Rectifier diodes ultrafast

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BYT79-300 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	180 A	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	10 A
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

BYT79-300 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

Rectifier diodes

ultrafast

BYT79 series

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• Low forward volt drop

• Fast switching

V_R= 300 V/ 400 V/ 500 V

• Soft recovery characteristic

• High thermal cycling performance

• Low thermal resistance

V_F≤ 1.05 V

I_F(AV)= 14 A

t_rr≤ 60 ns

GENERAL DESCRIPTION

PINNING

SOD59 (TO220AC)

Ultra-fast, epitaxial rectifier diodes

intended for use as output rectifiers

in high frequency switched mode

power supplies.

DESCRIPTION

cathode

anode

cathode

tab

The BYT79 series is supplied in the

conventional

leaded

SOD59

tab

(TO220AC) package.

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

BYT79

-300

300

-400

400

-500

500

V_RRM

V_R

Peak repetitive reverse voltage

Continuous reverse voltage

Average forward current¹

_mb≤ 147˚C

I_F(AV)

I_FSM

square wave; δ = 0.5;

_mb≤ 117 ˚C

Non-repetitive peak forward

current.

t = 10 ms

130

143

t = 8.3 ms

sinusoidal; with reapplied

V_RRM(max)

T_stg

T_j

Storage temperature

Operating junction temperature

-40

150

˚C

THERMAL RESISTANCES

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN. TYP. MAX. UNIT

R_{th j-mb}

Thermal resistance junction to

mounting base

Thermal resistance junction to in free air.

ambient

2.0

K/W

R_{th j-a}

K/W

1 Neglecting switching and reverse current losses

September 1998

Rev 1.300

12 3 4 5

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