BYT11-1000

更新时间： 2024-09-28 22:08:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管快速恢复二极管
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描述
FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

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BYT11-1000 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.47
Is Samacsys：	N	其他特性：	SNUBBER DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	1.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.1 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	WIRE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BYT11-1000 数据手册

BYT 11-600 →1000

FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

SOFT RECOVERY

VERY HIGH VOLTAGE

SMALL RECOVERY CHARGE

APPLICATIONS

F 126

(Plastic)

ANTISATURATION DIODES FOR TRANSIS-

TOR BASE DRIVE

SNUBBER DIODES

ABSOLUTE RATINGS (limiting values)

Symbol

I_FRM

Parameter

Repetive Peak Forward Current

Value

Unit

t_p≤ 20µs

I_{F (AV)}

Average Forward Current *

T_{a =}75°C

δ = 0.5

I_FSM

P_tot

Surge non Repetitive Forward Current

t_p= 10ms

Sinusoidal

Power Dissipation *

1.25

T_a= 55°C

T_stg

T_j

Storage and Junction Temperature Range

- 55 to + 150

°C

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering during 10s at 4mm

from Case

230

°C

BYT 11-

Symbol

Parameter

Unit

600

800

1000

V_RRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

800

1000

THERMAL RESISTANCE

Symbol

Parameter

Value

Unit

R_{th (j - a)}

Junction-ambient*

°C/W

* On infinite heatsink with 10mm lead length.

November 1994

1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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