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BYT12-600

更新时间: 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
12A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYT12-600 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.9 V
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大功率耗散:20 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:50 µA最大反向恢复时间:0.12 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

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