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BYT08P-600A

更新时间: 2024-02-01 22:31:32
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
8A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE

BYT08P-600A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.92
其他特性:FREE WHEELING DIODE应用:FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.9 VJESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大功率耗散:17 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:35 µA最大反向恢复时间:0.12 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

BYT08P-600A 数据手册

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