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BYD63

更新时间: 2024-09-30 22:09:55
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恩智浦 - NXP 二极管
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7页 81K
描述
Ripple blocking diode

BYD63 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:0.45 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:300 V
最大反向恢复时间:0.15 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYD63 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BYD63  
Ripple blocking diode  
1996 Jun 10  
Product specification  
Supersedes data of November 1995  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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