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BYD33MT/R

更新时间: 2024-09-30 20:42:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
12页 71K
描述
DIODE 0.7 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETICALLY SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BYD33MT/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.62外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.7 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified参考标准:IEC-134
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:0.3 µs
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BYD33MT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
k, halfpage  
BYD33 series  
Fast soft-recovery  
controlled avalanche rectifiers  
1996 Sep 18  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Jun 05  

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