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BYD34D

更新时间: 2024-09-30 21:03:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 219K
描述
DIODE 1.8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

BYD34D 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.64
应用:FAST SOFT RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:45 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最大输出电流:1.8 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:1 µA最大反向恢复时间:0.25 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

BYD34D 数据手册

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