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BY179

更新时间： 2024-09-26 20:28:39

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		IOT 二极管
页数	文件大小	规格书
2页	79K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon

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BY179 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSIP-W4	JESD-609代码：	e2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-50 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BY179 数据手册

BY 164, BY 179

Silicon-Bridge Rectifiers

Silizium-Brückengleichrichter

Nominal current

Nennstrom

1.5 A

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

BY 164

BY 179

80 V

250 V

Plastic case

Kunststoffgehäuse

19 x 5 x 10 [mm]

1.8 g

Weight approx.

Gewicht ca.

Standard packaging: bulk

Dimensions / Maße in mm

Standard Lieferform: lose im Karton

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Alternating input voltage

Eingangswechselspannung

V_VRMS[V]

Rep. peak reverse voltage

Period. Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V] ¹)

BY 164

BY 179

160

600

200

800

250

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

I_FRM

I_FSM

i²t

10 A ²)

50 A

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

T_A= 25/C

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

12.5 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

– 50...+150/C

)

Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

304

01.04.2000

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