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BUF634FKTTTE3 PDF预览

BUF634FKTTTE3

更新时间： 2024-02-22 14:29:25
品牌 Logo 应用领域
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页数 文件大小 规格书
12页 249K
描述
250mA HIGH-SPEED BUFFER

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BUF634FKTTTE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, SMSIP5H,.6,67TB针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.1放大器类型：BUFFER
最大平均偏置电流 (IIB)：20 µA标称带宽 (3dB)：180 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：20 µA最大输入失调电压：100000 µV
JESD-30 代码：R-PSSO-G5JESD-609代码：e3
长度：10.16 mm湿度敏感等级：2
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TO-263
封装等效代码：SMSIP5H,.6,67TB封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：+-15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.13 mm
标称压摆率：2000 V/us子类别：Buffer Amplifier
最大压摆率：20 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.7 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8.925 mm
Base Number Matches：1

BUF634FKTTTE3 数据手册

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PIN CONFIGURATION  
Top View  
8-Pin Dip Package  
Top View  
SO-8 Surface-Mount Package  
5-Lead  
TO-220  
BW  
NC  
VIN  
V–  
1
2
3
4
8
7
6
5
NC  
V+  
VO  
NC  
5-Lead DDPAK  
Surface Mount  
G = 1  
G = 1  
G = 1  
1
2
3
4
1 2 3 4  
5
5
NC = No Connection  
BW  
VIN  
V–  
V+  
VO  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Supply Voltage ..................................................................................... ±18V  
Input Voltage Range ............................................................................... ±VS  
Output Short-Circuit (to ground) .................................................Continuous  
Operating Temperature ..................................................... –40°C to +125°C  
Storage Temperature ........................................................ –55°C to +125°C  
Junction Temperature ....................................................................... +150°C  
Lead Temperature (soldering,10s).................................................... +300°C  
BW  
VIN  
V–  
V+  
NOTE: Tab electrically  
connected to V–.  
VO  
ELECTROSTATIC  
DISCHARGE SENSITIVITY  
PACKAGE/ORDERING INFORMATION  
Any integrated circuit can be damaged by ESD. Burr-Brown  
recommends that all integrated circuits be handled with  
appropriate precautions. Failure to observe proper handling  
and installation procedures can cause damage.  
PACKAGE  
DRAWING TEMPERATURE  
NUMBER(1)  
PRODUCT  
PACKAGE  
RANGE  
BUF634P  
BUF634U  
BUF634T  
BUF634F  
8-Pin Plastic DIP  
SO-8 Surface-Mount  
5-Lead TO-220  
006  
182  
315  
325  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
–40°C to +85°C  
ESD damage can range from subtle performance degrada-  
tion to complete device failure. Precision integrated circuits  
may be more susceptible to damage because very small  
parametric changes could cause the device not to meet  
published specifications.  
5-Lead DDPAK  
NOTE: (1) For detailed drawing and dimension table, please see end of data  
sheet, or Appendix C of Burr-Brown IC Data Book.  
®
3
BUF634  
1234567...12

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