Datasheet > BU52095GWZ

BU52095GWZ

更新时间： 2023-09-03 20:25:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		手机智能手机电脑
页数	文件大小	规格书
17页	901K
描述
两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能手机的盖开闭检测功能等。

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BU52095GWZ 数据手册

BU52095GWZ

Measurement Circuit

B_op/B_rp

T_p

200Ω

V_DD

OUT

V_DD

OUT

GND

V_DD

100µF

Oscilloscope

GND

The period is monitored by an oscilloscope

Figure 2. T_pMeasurement Circuit

Bop and Brp are measured by applying an external magnetic

field

Figure 1. B_op,B_rpMeasurement Circuit

V_OH,V_OL

V_DD

100µF

OUT

I_OUT

GND

Figure 3. V_OH,V_OLMeasurement Circuit

I_DD

V_DD

2200µF

V_DD

OUT

GND

Figure 4. I_DDMeasurement Circuit

www.rohm.com

TSZ22111 • 15 • 001

TSZ02201-0M2M0F416030-1-2

8.Aug.2016 Rev.001

4/14

1 2 345 6 7...17

下载PDF

与BU52095GWZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BU52097GWZ	ROHM	两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能	获取价格
BU52098GWZ	ROHM	两极检测霍尔IC用于检测S极或N极的磁场。通过组合本霍尔IC和磁铁，可以实现平板电脑和智能	获取价格
BU52098GWZ-E2	ROHM	Hall Effect Sensor,	获取价格
BU520XX_BD7411G_REVF	ROHM	Omnipolar detection, Micro power operation (small current using intermittent operation met	获取价格
BU52177GXZ-E2	ROHM	Hall Effect Sensor, 10.1mT Min, 19mT Max, 0.2-1.6V, Square, Surface Mount, XCSP-4	获取价格
BU522	ISC	Silicon Darlington NPN Power Transistor	获取价格