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BTS612N1E3128ABUMA1 PDF预览

BTS612N1E3128ABUMA1

更新时间： 2024-02-29 20:39:41
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动接口集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 363K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 4.4A, MOS, PSSO6, TO-263, 7/6 PIN

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BTS612N1E3128ABUMA1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：TO-263,
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：18 weeks
风险等级：5.71Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSSO-G6JESD-609代码：e3
长度：10 mm功能数量：1
端子数量：6输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：4.4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TO-263封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：4.5 mm
最大供电电压：34 V最小供电电压：5 V
标称供电电压：12 V表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：400 µs接通时间：400 µs
宽度：9.25 mmBase Number Matches：1

BTS612N1E3128ABUMA1 数据手册

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BTS612N1  
Truth Table  
IN1  
IN2  
OUT1  
OUT2  
ST  
ST  
BTS611L1 BTS612N1  
Normal operation  
Open load  
L
L
H
H
L
L
H
L
H
L
H
L
L
L
H
H
Z
Z
H
L
H
L
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H(L12  
H
)
)
Channel 1  
Channel 2  
Channel 1  
H
X
H
X
H
H
L
12)  
L
H
X
L
L
H
L
L
H
L
H
X
L
H
X
H
H
H
Z
Z
H
L
H
X
H(L  
)
L
H
H
L
H
H
H
L
L13  
H
)
Short circuit to V  
bb  
H(L14  
)
)
13)  
Channel 2  
L
H
X
L
X
H
L
H
X
X
X
L
L
H
L
H
X
X
X
L
H
X
L
H
X
L
L
L
L
L
X
X
L
H
H
H
L
L
L
X
X
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
H
L
H
14)  
H(L  
)
Overtemperature  
both channel  
H
L
L
H
L
H
L
Channel 1  
Channel 2  
H
L
H
Undervoltage/ Overvoltage  
H
L = "Low" Level  
H = "High" Level  
X = don't care  
Z = high impedance, potential depends on external circuit  
Status signal after the time delay shown in the diagrams (see fig 5. page 12)  
Terms  
Input circuit (ESD protection)  
I
V
bb  
ON1  
R
V
4
V
bb  
I
I
ON2  
IN1  
IN  
V
3
bb  
I
IN1  
IN2  
ST  
L1  
1
7
OUT1  
OUT2  
I
IN2  
PROFET  
I
6
5
L2  
V
ESD-ZD  
I
I
ST  
I
I
V
V
IN2  
GND  
2
IN1  
V
ST  
OUT1  
GND  
V
I
OUT2  
GND  
R
GND  
ESD zener diodes are not to be used as voltage clamp  
at DC conditions. Operation in this mode may result in  
a drift of the zener voltage (increase of up to 1 V).  
12  
13  
)
With additional external pull up resistor  
)
An external short of output to Vbb, in the off state, causes an internal current from output to ground. If RGND  
is used, an offset voltage at the GND and ST pins will occur and the VST low signal may be errorious.  
Low resistance to Vbb may be detected in the ON-state by the no-load-detection  
14  
)
Data Sheet  
7
2013-10-11  
1...45678910...14

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与BTS612N1E3128ABUMA1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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