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BTS555

更新时间： 2024-01-05 10:15:36
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关过载保护局域网
页数 文件大小 规格书
15页 132K
描述
Smart Highside High Current Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Overtemperature protection)

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BTS555 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.29
Is Samacsys：N内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
输入特性：STANDARD接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSFM-T5功能数量：1
端子数量：5输出特性：OPEN-SOURCE
输出电流流向：SOURCE标称输出峰值电流：520 A
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大供电电压：34 V
最小供电电压：4 V标称供电电压：12 V
表面贴装：NO技术：MOS
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
断开时间：240 µs接通时间：550 µs
Base Number Matches：1

BTS555 数据手册

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Target Data Sheet BTS555  
Thermal Characteristics  
Parameter and Conditions  
Symbol  
Values  
Unit  
min  
--  
typ  
max  
7)  
RthJC  
chip - case:  
K/W  
-- 0.40  
30  
Thermal resistance  
--  
junction - ambient (free air): RthJA  
--  
Electrical Characteristics  
Parameter and Conditions  
Symbol  
Values  
Unit  
at Tj = -40 ... +150°C, V = 12V unless otherwise specified  
bb  
min  
typ  
max  
Load Switching Capabilities and Characteristics  
On-state resistance (Tab to pins 1,5, see measurement  
circuit page 8)  
IL =tbd (>=20) A, T =25°C:  
j
RON  
--  
2.4  
4.6  
tbd  
tbd  
132  
2.9  
5.7  
tbd  
tbd  
--  
mΩ  
VIN =0, IL =tbd (>=20) A, T =150°C:  
j
IL =tbd A, T =150°C:  
j
Vbb =tbd V8), IL =tbd A, T =150°C: RON(Static)  
--  
j
Nominal load current9) (Tab to pins 1,5)  
IL(ISO)  
111  
A
ISO 10483-1/6.7: VON =0.5V, T =85°C 10)  
c
Maximum load current in resistive range  
(Tab to pins 1,5)  
VON =1.8V, T =25°C: IL(Max)  
tbd  
tbd  
130  
60  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
c
A
see diagram on page 13  
Turn-on time11)  
VON =1.8V, T =150°C:  
c
I
I
to 90% VOUT: ton  
to 10% VOUT: toff  
550  
240  
µs  
IN  
IN  
Turn-off time  
RL =1Ω , Tj =-40...+150°C  
Slew rate on11) (10 to 30% VOUT  
RL =1Ω  
Slew rate off11) (70 to 40% VOUT  
RL =1Ω  
)
dV/dton  
--  
--  
0.8  
0.8  
-- V/µs  
-- V/µs  
)
-dV/dtoff  
Inverse Load Current Operation  
On-state resistance (Pins 1,5 to pin 3)  
VbIN =12 V, IL =- tbd (>=20) A  
see diagram on page 10  
T =25°C:  
T =150°C:  
j
--  
111  
--  
2.4  
4.6  
2.9  
5.7  
--  
RON(inv)  
mΩ  
j
Nominal inverse load current (Pins 1,5 to Tab)  
IL(inv)  
132  
A
VON =-0.5V, T =85°C10  
c
Drain-source diode voltage (V > V  
)
bb  
-VON  
tbd  
-- mV  
out  
I
-
I = 0,  
L = tbd (>=20)A, Tj =+150°C  
IN  
7)  
Thermal resistance RthCH case to heatsink (about 0.25 K/W with silicone paste) not included!  
8)  
Decrease of Vbb below 10 V causes slowly a dynamic increase of RON to a higher value of RON(Static). As  
long as VbIN > VbIN(u) max, RON increase is less than 10 % per second for TJ < 85 °C.  
Not tested, specified by design.  
TJ is about 105°C under these conditions.  
See timing diagram on page 14.  
9)  
10)  
11)  
Semiconductor Group  
Page 3  
1998-Jan-14  
1234567...15

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