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BTS3410GNTMA1

更新时间： 2024-02-19 06:27:51

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英飞凌 - INFINEON		驱动光电二极管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	290K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 7.5A, MOS, PDSO8, GREEN, PLASTIC, SOP-8

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技术参数
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BTS3410GNTMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.63
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	5 mm
功能数量：	2	端子数量：	8
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	7.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
座面最大高度：	1.75 mm	标称供电电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	断开时间：	100 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	4 mm
Base Number Matches：	1

BTS3410GNTMA1 数据手册

Smart Low Side Power Switch

HITFET BTS 3410G

1 Overall maximum allowable power

dissipation; P = f(T ) resp.

2 On-state resistance

= f(T ); I =1.4A; V =10V

j D IN

tot

= f(T ) @ R

=80 K/W

thJA

500

mꢀ

max.

typ.

400

350

300

250

200

150

100

1.5

0.5

-50 -25

75 100

150

°C

25 50 75 100 125

175

°C

3 On-state resistance

4 Typ. input threshold voltage

= f(T ); I = 1.4A; V =5V

j D IN

= f(T ); I = 0.15 mA; V = 12V

IN(th)

500

max.

mꢀ

400

1.6

1.4

1.2

typ.

350

300

250

200

150

100

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

°C

25 50 75 100 125

175

°C

-50 -25

75 100

150

Datasheet

Rev. 1.3, 2007-11-06

1...4 5 678 9 10...12

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