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BTS409L1E3062A

更新时间： 2024-01-12 00:24:59
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 驱动器接口集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 163K
描述
MOSFET Driver

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BTS409L1E3062A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220AB, 7 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.47
内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSSO-G6长度：9.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：6输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TO-263封装等效代码：SMSIP5H,.6,67TB
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5/34 V
认证状态：Not Qualified子类别：MOSFET Drivers
最大供电电压：34 V最小供电电压：5 V
标称供电电压：12 V表面贴装：YES
技术：MOS端子形式：GULL WING
端子节距：1.7 mm端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED断开时间：400 µs
接通时间：400 µs宽度：9.2 mm

BTS409L1E3062A 数据手册

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®
PROFET BTS409L1  
Smart Highside Power Switch  
Features  
Product Summary  
•
•
•
•
•
•
•
•
Overload protection  
Overvoltage protection  
Vbb(AZ)  
43  
V
Current limitation  
Short circuit protection  
Thermal shutdown  
Overvoltage protection (including load dump)  
Fast demagnetization of inductive loads  
Reverse battery protection  
Undervoltage and overvoltage shutdown with  
auto-restart and hysteresis  
V
5.0 ... 34 V  
Operating voltage  
On-state resistance  
Load current (ISO)  
Current limitation  
bb(on)  
R
ON  
200  
mΩ  
I
I
2.3  
4
A
A
L(ISO)  
L(SCr)  
1
)
TO-220AB/5  
•
•
•
•
•
Open drain diagnostic output  
Open load detection in ON-state  
CMOS compatible input  
Loss of ground and loss of V protection  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
5
5
bb  
5
1
1
Straight leads  
Standard  
SMD  
Application  
•
•
•
µC compatible power switch with diagnostic feedback for 12 V and 24 V DC grounded loads  
All types of resistive, inductive and capacitve loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic  
feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection  
functions.  
+ V  
bb  
3
Vo lta g e  
so urc e  
Ga te  
Ove rvo lta g e  
p ro te c tio n  
Curre nt  
lim it  
p ro te c tio n  
V
Logic  
OUT  
Lim it fo r  
unc la m p e d  
ind . lo a d s  
Cha rg e p um p  
Le ve l shifte r  
Vo lta g e  
se nso r  
5
Te m p e ra ture  
se nso r  
Re c tifie r  
IN  
2
Op e n lo a d  
Sho rt to Vb b  
d e te c tio n  
Load  
Lo g ic  
ESD  
R
4
ST  
O
GND  
PROFET  
GND  
1
Load GND  
Signal GND  
1)  
With external current limit (e.g. resistor R =150 Ω) in GND connection, resistor in series with ST  
GND  
connection, reverse load current limited by connected load.  
Semiconductor Group  
1
12.96  
1234567...12

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