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BTS3410GNTMA1

更新时间： 2024-02-17 15:03:27

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英飞凌 - INFINEON		驱动光电二极管接口集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	290K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 7.5A, MOS, PDSO8, GREEN, PLASTIC, SOP-8

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BTS3410GNTMA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.63
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	5 mm
功能数量：	2	端子数量：	8
输出电流流向：	SINK	标称输出峰值电流：	7.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
座面最大高度：	1.75 mm	标称供电电压：	12 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	断开时间：	100 µs
接通时间：	100 µs	宽度：	4 mm
Base Number Matches：	1

BTS3410GNTMA1 数据手册

Smart Low Side Power Switch

HITFET BTS 3410G

Product Summary

Features

Drain source voltage

On-state resistance

Nominal load current

Clamping energy

200 mꢀ

1.3

150 mJ

S Logic Level Input

S Input Protection (ESD)

S Thermal shutdown with auto restart

• Green product (RoHS compliant)

S Overload protection

DS(on)

D(Nom)

S Short circuit protection

S Overvoltage protection

S Current limitation

S Analog driving possible

Application

S All kinds of resistive, inductive and capacitive loads in switching

or linear applications

S µC compatible power switch for 12 V DC applications

S Replaces electromechanical relays and discrete circuits

General Description

ꢁ

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded

protection functions.

Vbb

Drain1

ꢀ

HITFET

Pin 7and 8

In1

Logic

Channel 1

Pin 2

Pin 1

Source1

Drain2

Pin 5and 6

In2

Logic

Channel 2

Pin 4

Pin 3

Source2

Complete product spectrum and additional information http://www.infineon.com/hitfet

Datasheet

Rev. 1.3, 2007-11-06

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