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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BTA216B-800B
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BTA216B-800B

更新时间： 2024-02-29 16:17:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Triacs high commutation

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BTA216B-800B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.76外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：16 A
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：TRIAC
Base Number Matches：1

BTA216B-800B 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Triacs  
high commutation  
BTA216B series B  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance  
full cycle  
-
-
-
-
-
55  
1.2  
1.7  
-
K/W  
K/W  
K/W  
junction to mounting base half cycle  
Rth j-a  
Thermal resistance  
junction to ambient  
minimum footprint, FR4 board  
STATIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
IGT  
Gate trigger current2  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
2
2
2
18  
21  
34  
50  
50  
50  
mA  
mA  
mA  
IL  
Latching current  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
T2+ G+  
T2+ G-  
T2- G-  
-
31  
34  
60  
90  
60  
60  
1.5  
1.5  
-
mA  
mA  
mA  
mA  
V
-
-
30  
IH  
VT  
VGT  
Holding current  
On-state voltage  
Gate trigger voltage  
VD = 12 V; IGT = 0.1 A  
IT = 20 A  
-
31  
-
1.2  
0.7  
0.4  
0.1  
VD = 12 V; IT = 0.1 A  
-
0.25  
-
V
VD = 400 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 ˚C  
V
ID  
Off-state leakage current VD = VDRM(max); Tj = 125 ˚C  
0.5  
mA  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Tj = 25 ˚C unless otherwise stated  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
dVD/dt  
dIcom/dt  
tgt  
Critical rate of rise of  
off-state voltage  
Critical rate of change of  
commutating current  
Gate controlled turn-on  
time  
VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C;  
exponential waveform; gate open circuit  
VDM = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS) = 16 A;  
without snubber; gate open circuit  
ITM = 20 A; VD = VDRM(max); IG = 0.1 A;  
dIG/dt = 5 A/µs  
1000 4000  
-
-
-
V/µs  
A/ms  
µs  
-
-
28  
2
2 Device does not trigger in the T2-, G+ quadrant.  
October 1997  
2
Rev 1.100  
123456

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BTA216B-800B 替代型号

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 		TRIAC, 800V V(DRM), 16A I(T)RMS
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