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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.29 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSP88 | INFINEON | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
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| BSP88_09 | INFINEON | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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| BSP88E6327 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP88E6327 | ROCHESTER | 0.35A, 240V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 |
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| BSP88H6327XTSA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSP89 | NXP | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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