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BSP89

更新时间： 2024-02-25 23:30:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关光电二极管
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9页	175K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

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BSP89 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	240 V	最大漏极电流 (ID)：	0.35 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSP89 数据手册

BSP 89

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSP 89

240 V

0.36 A

SOT-223

BSP 89

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 89

Q67000-S652

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

240

DGR

Ω

= 20 k

240

Gate source voltage

Gate-source peak voltage,aperiodic

Continuous drain current

± 20

0.36

1.44

1.7

T = 29 °C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

Sep-12-1996

12 3 4 5 6 7...9

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