是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOT-223 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.75 |
风险等级: | 5.29 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 240 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.29 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.29 A | 最大漏源导通电阻: | 8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 9 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1.16 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 70 ns |
最大开启时间(吨): | 23 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
BSP88_09 | INFINEON | SIPMOS Small-Signal-Transistor |
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BSP88E6327 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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BSP88E6327 | ROCHESTER | 0.35A, 240V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4 |
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BSP88H6327XTSA1 | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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BSP89 | NXP | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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BSP89 | INFINEON | SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
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