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BSP88

更新时间: 2024-01-21 01:52:36
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 175K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

BSP88 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-223包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.29Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:240 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.29 A
最大漏极电流 (ID):0.29 A最大漏源导通电阻:8 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):9 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM):1.16 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):70 ns
最大开启时间(吨):23 nsBase Number Matches:1

BSP88 数据手册

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BSP 88  
®
SIPMOS Small-Signal Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• V  
= 0.6...1.2V  
GS(th)  
Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4  
G
D
S
D
Type  
V
I
R
Package  
Marking  
DS  
D
DS(on)  
BSP 88  
240 V  
0.32 A  
8
SOT-223  
BSP 88  
Type  
Ordering Code  
Tape and Reel Information  
BSP 88  
Q67000-S070  
E6327  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Drain source voltage  
Drain-gate voltage  
V
V
240  
V
DS  
DGR  
R
= 20 k  
240  
GS  
±
14  
Gate source voltage  
V
V
GS  
Gate-source peak voltage,aperiodic  
Continuous drain current  
± 20  
0.32  
1.28  
1.7  
gs  
I
A
D
T = 25 °C  
A
DC drain current, pulsed  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
A
Power dissipation  
P
W
tot  
T = 25 °C  
A
Semiconductor Group  
1
Sep-12-1996  

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