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BSP88E6327

更新时间： 2024-02-19 05:09:03

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	290K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-4

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BSP88E6327 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.11
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	240 V
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.28 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BSP88E6327 数据手册

BSP 88

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.6...1.2V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Pin 4

Type

Package

Marking

V_DS

240 V

I_D

R_DS(on)

Ω

BSP 88

0.32 A

SOT-223

BSP 88

Type

Ordering Code

Tape and Reel Information

BSP 88

Q67000-S070

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

240

DGR

Ω

= 20 k

240

Gate source voltage

ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883

Continuous drain current

Class 1

T = 25 ˚C

0.32

1.28

1.7

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 ˚C

Power dissipation

tot

T = 25 ˚C

Data Sheet

05.99

12 3 4 5 6 7 8

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