BSP75A

更新时间： 2024-01-13 13:39:14

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英飞凌 - INFINEON		开关电源开关
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9页	58K
描述
Smart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input protection ESD Thermal shutdown with restart)

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BSP75A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOP,	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.55
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.8 mm
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	断开时间：	20 µs
接通时间：	20 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BSP75A 数据手册

Preliminary data sheet HITFET BSP 75A

Parameter and Conditions

Symbol

Values

Unit

at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

min

typ

max

Protection Functions

Thermal overload trip temperature

Thermal hysteresis

T_jt

∆T_jt

150

165

°C

Unclamped single pulse inductive energy

550

200

=0.7 A, V =32 V

T =25 °C E

D(ISO)

T =150 °C

Inverse Diode

Continuous source drain voltage

VIN = 0 V, -I_D= 2*0.7 A

V_SD

Circuit Description

The BSP 75 is a monolithic power switch in Smart Power Technology (SPT) with a logic level

input, an open drain DMOS output stage and integrated protection functions. It is designed

for all kind of resistive and inductive loads (relays, solenoid) in automotive and industrial ap-

plications.

Protection functions

• Overvoltage protection: An internal clamp limits the output voltage at V_DS(AZ)(about

63 V) when inductive loads are switched off.

• Current limitation: By means of an internal current measurement the drain current is lim-

ited at I_D(lim)(1.4 - 1.5 A typ.). If the current limitation is active the device operates in the

linear region, so power dissipation may exceed the capability of the heatsink. This opera-

tion leads to an increasing junction temperature until the overtemperature threshold is

reached.

• Overtemperature and short circuit protection: This protection is based on sensing the

chip temperature. The location of the sensor ensures a fast and accurate junction tem-

perature detection. Overtemperature shutdown occurs at minimum 150 °C. A hysteresis of

typ. 10 K enables an automatical restart by cooling.

The device is ESD protected according Human Body Model (4 kV) and load dump protected

(see Maximum Ratings).

Semiconductor Group

Page 4

1998-02-04

1 2 345 6 7...9

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与BSP75A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BSP75G	ZETEX	60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch	获取价格
BSP75G	DIODES	60V SELF-PROTECTED LOW-SIDE INTELLIFET MOSFET SWITCH	获取价格
BSP75G(2)	ETC		获取价格
BSP75GQ	DIODES	60V SELF-PROTECTED LOW-SIDE INTELLIFET MOSFET SWITCH	获取价格
BSP75GQTC	DIODES	Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1.1A, PDSO4, SOT-223, 4 PIN	获取价格
BSP75GTA	ZETEX	60V self-protected low-side IntelliFETTM MOSFET switch	获取价格

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