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BSM300GA120DN2E3166

更新时间： 2024-01-09 13:14:58

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管开关晶体管双极性晶体管通用开关栅局域网
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描述
IGBT Power Module (Single switch Including fast free-wheeling diodes Enlarged diode area)

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BSM300GA120DN2E3166 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CUFM-X5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	430 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	120 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-CUFM-X5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	2500 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	220 ns
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	GENERAL PURPOSE
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	800 ns
标称断开时间 (toff)：	600 ns	最大开启时间（吨）：	200 ns
标称接通时间 (ton)：	100 ns	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

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BSM300GA120DN2E3166

IGBT Power Module

Preliminary data

• Single switch

• Including fast free-wheeling diodes

• Enlarged diode area

• Package with insulated metal base plate

Type

Package

Ordering Code

BSM300GA120DN2E3166 1200V 430A SINGLE SWITCH 1

C67070-A2007-A70

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1200

CGR

Ω

= 20 k

1200

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

430

300

T = 80 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

860

600

T = 80 °C

Power dissipation per IGBT

tot

T = 25 °C

2500

+ 150

Chip temperature

°C

Storage temperature

-55 ... + 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip case

Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance

0.05

K/W

thJC

thJCD

≤

0.065

2500

Vac

Clearance

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55 / 150 / 56

Semiconductor Group

Mar-29-1996

12 3 4 5 6 7...9

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