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BS62LV4008EIP70

更新时间: 2024-01-04 06:03:31
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 374K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit

BS62LV4008EIP70 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2, TSOP32,.46Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.95 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:2.5/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.0000013 A
最小待机电流:1.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.4 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

BS62LV4008EIP70 数据手册

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BSI  
BS62LV4008  
„ PACKAGE DIMENSIONS (continued)  
STSOP - 32  
PDIP - 32  
Revision 1.1  
R0201-BS62LV4008  
10  
Jan.  
2004  

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