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BS616LV1013EC-70

更新时间： 2022-11-25 18:47:12
品牌 Logo 应用领域
BSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 259K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit

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BS616LV1013EC-70 数据手册

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BSI  
BS616LV1013  
„ OPERATING RANGE  
„ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)  
AMBIENT  
TEMPERATURE  
0 O C to +70 O  
SYMBOL  
VTERM  
TBIAS  
TSTG  
PARAMETER  
RATING  
UNITS  
RANGE  
Vcc  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to  
Vcc+0.5  
V
Commercial  
Industrial  
C
2.7V ~ 3.6V  
2.7V ~ 3.6V  
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
-40 to +125  
-60 to +150  
1.0  
O C  
O C  
W
-40 O C to +85 O  
C
PT  
„ CAPACITANCE (1) (TA = 25oC, f = 1.0 MHz)  
DC Output Current  
20  
mA  
IOUT  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MAX.  
UNIT  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM  
RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a  
stress rating only and functional operation of the device at these  
or any other conditions above those indicated in the operational  
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
Input  
CIN  
VIN=0V  
6
pF  
Capacitance  
Input/Output  
Capacitance  
CDQ  
VI/O=0V  
8
pF  
maximum rating conditions for extended periods may affect 1. This parameter is guaranteed and not 100% tested.  
reliability.  
„ DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 0oC to + 70oC )  
PARAMETER  
(1)  
UNITS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN. TYP.  
MAX.  
NAME  
Guaranteed Input Low  
Voltage  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
IL  
V
-0.5  
--  
0.8  
V
(2)  
Guaranteed Input High  
IH  
V
--  
--  
Vcc+0.2  
1
V
(2)  
2.0  
--  
Voltage  
IN  
IL  
I
Input Leakage Current  
Vcc = Max, V = 0V to Vcc  
uA  
IH  
IH  
Vcc = Max, CE = V , or OE = V ,  
LO  
I
Output Leakage Current  
--  
--  
1
uA  
I/O  
V
= 0V to Vcc  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
OL  
OL  
V
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
Vcc = Max, I = 2mA  
--  
--  
--  
0.4  
--  
V
V
OH  
OH  
V
Vcc = Min, I = -1mA  
2.4  
Operating Power Supply  
Current  
(3)  
Vcc=3.0V  
Vcc=3.0V  
IL  
DQ  
CC  
I
CE = V , I = 0mA, F = Fmax  
--  
--  
--  
mA  
mA  
uA  
--  
--  
20  
1
IH  
DQ  
CCSB  
I
Standby Current-TTL  
CE = V , I = 0mA  
CE  
Vcc -0.2V,  
Vcc - 0.2V or V  
≧
CCSB1  
I
Standby Current-CMOS  
Vcc=3.0V  
0.02  
0.5  
IN  
IN  
V
0.2V  
≦
≧
1. Typical characteristics are at TA = 25oC.  
2. These are absolute values with respect to device ground and all overshoots due to system or tester notice are included.  
3. Fmax = 1/tRC  
.
„ DATA RETENTION CHARACTERISTICS ( TA = 0oC to + 70oC )  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.(1)  
MAX.  
UNITS  
CE ≧ Vcc - 0.2V  
VIN ≧ Vcc - 0.2V or VIN ≦ 0.2V  
VDR  
Vcc for Data Retention  
1.5  
--  
--  
V
CE ≧ Vcc - 0.2V  
VIN ≧ Vcc - 0.2V or VIN ≦ 0.2V  
ICCDR  
Data Retention Current  
--  
0
0.02  
0.3  
uA  
Chip Deselect to Data  
Retention Time  
tCDR  
tR  
--  
--  
--  
--  
ns  
ns  
See Retention Waveform  
(2)  
Operation Recovery Time  
TRC  
1. Vcc = 1.5V, TA = + 25OC  
2. tRC = Read Cycle Time  
Revision 1.1  
R0201-BS616LV1013  
3
Jan.  
2004  
1234567...9

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